Očekává se, že první 8palcová výrobní linka GaN Wafer společnosti Samsung začne masově vyrábět již ve druhém čtvrtletí

Podle zprávy jihokorejského média The Elec se očekává, že první výrobní linka Samsungu na výrobu 8palcových plátků z nitridu galia (GaN) vstoupí do sériové výroby již ve druhém čtvrtletí roku 2026, přičemž se předpokládá, že počáteční tržby zůstanou pod 100 miliardami wonů.

Zpráva uvádí, že společnost Samsung vytvořila komplexní ekosystém řešení GaN pokrývající vše kromě návrhu čipu a má schopnost nezávisle vyrábět epitaxní wafery GaN.

Kromě toho společnost Samsung plánuje během tohoto roku zahájit provoz na své slévárně výkonových polovodičů z karbidu křemíku (SiC).Společnost disponuje komplexními schopnostmi v segmentu SiC, včetně designu, který může doplňovat technologii GaN v různých napěťových rozsazích.

Předchozí zprávy také odhalily, že Samsung investoval přibližně 100 až 200 miliard wonů do pokročilých procesních zařízení, včetně systémů MOCVD společnosti Aixtron, na podporu zpracování plátků křemíku-gallia a nitridu galia.