Samsung plánuje dodat vzorky čipů HBM4E společnosti NVIDIA v květnu

Samsung Electronics plánuje vyrobit první vzorky své nové generace High Bandwidth Memory (HBM4E) již v květnu a dodat čipy společnosti NVIDIA po interním ověření.

Společnost urychluje vývoj své sedmé generace produktů HBM, aby si udržela silnou dynamiku na rychle rostoucím trhu s pamětí s umělou inteligencí (AI).Samsung plánuje nejprve vyrobit první vzorky, které splňují očekávané úrovně výkonu, než je doručí zákazníkům.

Od slévárenské divize Samsungu se očekává, že v polovině května vyrobí vzorky logických čipů pro HBM4E.Tyto komponenty pak budou převedeny do paměťové divize pro balení s DRAM.Hotové vzorky budou před dodáním společnosti NVIDIA podrobeny internímu hodnocení výkonu.

Samsung již dříve představil fyzický čip HBM4E na konferenci GTC 2026 v březnu.Odborníci z oboru však obecně považují čip spíše za demonstrační vzorek než za produkt splňující požadavky na komerční výkon.Očekává se, že čip dosáhne rychlosti přenosu dat až 16 Gbps na pin a šířky pásma až 4,0 TB/s, což představuje zlepšení oproti HBM4.

Samsung se snaží upevnit svou výhodu prvního na trhu v hromadné výrobě HBM4 a zavádí pokročilejší procesní technologie než jeho konkurenti.Podle průmyslových zdrojů se očekává, že Samsung bude vyrábět logické čipy pomocí 4nm procesu a čipy DRAM pomocí 10nm (třídy 1c) procesu.

Konkurent SK Hynix také urychluje výzkum a vývoj HBM4E a plánuje přijmout pokročilejší procesy DRAM a logických čipů.

Výrobní plány pro platformu NVIDIA Vera Rubin AI (která bude využívat HBM4 a HBM4E) prošly určitými úpravami, ale Samsung zvyšuje úsilí, aby se vyhnul opakování chyb na trhu HBM3E.