SK Hynix vyvíjí proces AIP, aby se vypořádal s výrobními úzkými místy ve více než 300 vrstvách NAND

Podle jihokorejského média zdnet.co.kr, SK Hynix, významný jihokorejský výrobce paměťových čipů, vyvíjí procesní technologii nové generace nazvanou AIP (All-In-Plug).Cílem je dosáhnout vysoce naskládané NAND Flash s více než 300 vrstvami při výrazném snížení výrobních nákladů.

Současná výroba NAND Flash vyžaduje několik kritických kroků leptání.Nicméně, jak stohování vrstev překročí 300, výrobní náklady a složitost procesu dramaticky eskalují.Technologie AIP se zaměřuje na proces leptání High Aspect Ratio Contact (HARC) – klíčový krok ve výrobě NAND Flash.Integrací více fází procesu a odstraněním nadbytečných kroků se snaží zachovat životaschopnost procesu při současném snížení výrobních nákladů a zlepšení efektivity výtěžku.

Pokud bude technologie AIP úspěšně zavedena do hromadné výroby, očekává se, že výrazně sníží počet kroků leptání počínaje novou generací NAND Flash, jako je V11, čímž se vytvoří ekonomičtější výrobní základ pro paměťové čipy s vyššími vrstvami stohování.

Viceprezident SK Hynix Lee Sunghoon ve svém hlavním projevu na veletrhu SEMICON Korea 2026 zdůraznil, že jelikož složitost polovodičových procesů stále eskaluje, spoléhání se na starší technologie již nemůže udržet budoucí růst.V důsledku toho SK Hynix zavádí předvídatelnou platformu procesních technologií nové generace a současně vyhodnocuje klíčové technologie pro další generaci DRAM a NAND.

Lee Sunghoon uvedl, že jedním z klíčových faktorů zvyšujících náklady na NAND Flash s vysokým počtem vrstev je nárůst v krocích procesu leptání.Integrace více kroků do jednoho procesu je nyní pro společnost zásadní technickou výzvou.