Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Odhlásit se
Čeština
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
domů > Zprávy > Samsung Electronics může začít budovat novou továrnu US CHIP ve třetím čtvrtletí

Samsung Electronics může začít budovat novou továrnu US CHIP ve třetím čtvrtletí

Korejské mediální elektronické časy hlášené v pondělí, že Samsung Electronics může zahájit výstavbu amerického továrny na čip s investicí ve výši přibližně 17 miliard USD ve třetím čtvrtletí tohoto roku, s cílem je uvedení do provozu v roce 2024.

Jižní korejská média citovala insidery, kteří nechtěli být jmenováni, že Samsung plánuje aplikovat 5-nanometru EUV litografie na výrobní lince FAB.

Samsung uvedl, že ještě neučinil žádné rozhodnutí.

Podle dokumentů dříve předložených Samsungem do vlády Texasu společnost zvažuje Austin jako jeden z míst pro své odhadované investice ve výši 17 miliard dolarů v čipových továrnách. Samsung uvedl, že závod vytvoří 1 800 pracovních míst.

V současné době Samsung provozuje továrnu na čip v Austinu, Texas. Po jeho konkurenti, jako je TSMC a Intel oznámili rozšíření, Samsung také začal podporovat zahraniční investice.

Yonhap News Agency poukázala na to, že jihokorejský prezident Moon Jae-in bude mít summit s americkým prezidentem Biden ve Washingtonu na 21. místním čase. Očekává se, že Samsung je Chip Business Leader Kim Ki-Nam doprovázet svou návštěvu Spojených států. V té době může společnost oznámit svůj investiční plán ve Spojených státech.