SK hynix plánuje příští rok sériově vyrábět ultrarychlostní DRAM, který lze použít pro výpočet AI a super výpočet.

Podle BusinessKorea SK hynix 12. srpna oznámila, že vyvinula HBM2EDRAM, polovodič s velkou šířkou pásma, který lze použít v zařízeních a superpočítačích umělé inteligence (AI).

Společnost uvedla, že její nový čip má nejrychlejší rychlost v oboru. Zařízení HBM2E podporuje více než 460 GB šířky pásma za sekundu, založené na rychlosti výkonu 3,6 Gb / s na pin a 1 024 datových I / O, což je o 50% více než společnost HBM2DRAM vyvinutá před rokem.

Na konci prosince 2013 vyvinula SK hynix první HBM na světě (paměť s velkou šířkou pásma) se čtyřmi fázemi skládaného DRAM.

Rozumí se, že SK hynix vyvinul 16 GB paměťový balíček vertikálním stohováním osmi 16Gb čipů pomocí "přes křemík přes". (TSV) technologie. SK hynix zahájí masovou výrobu nových čipů v roce 2020. Nové paměťové produkty se používají především pro grafické karty, superpočítače, AI a servery, které vyžadují vysokorychlostní a vysoce výkonnou paměť.

SK hynix plánuje převzít vedoucí postavení na trhu polovodičových pamětí nové generace s HBM2EDRAM. Její tržby DRAM ve druhém čtvrtletí činily 4,26 miliardy USD, což představuje 28,7% světového trhu.

"Od uvedení prvního HBMDRAM na světě v roce 2013 dominuje SK hynix technologická konkurenceschopnost," řekl JeonJun-hyun, který je zodpovědný za obchodní strategii společnosti HBM. „Příští rok zahájíme sériovou výrobu HBM2E a budeme nadále posilovat naši přítomnost. Technické výhody na trhu. & Quot;